InternetWalkers!【半導体】超高速コンピュータ誕生の可能性を秘めた原子1個分の極薄シリコン系材料「Silicene」 初のトランジスタ作成に成功©2ch.net


http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1423314084/より引用

1: Mogtan ★@ ©2ch.net 2015/02/07(土) 22:01:24.78 ID:???

掲載日:2015年2月6日
http://gigazine.net/news/20150206-silicene/

半導体材料として一般的なシリコンに取って代わる次世代半導体材料の研究が世界中で進められており、ダイヤモンド、グラフェン、カーボンナノチューブなどの炭素系材料が有力視されています。しかし、シリコンに代わるものはシリコンとばかりに、シリコン原子が原子1個分の極薄状態に2次元構造をとる新素材「Silicene」も対抗馬として名乗りを上げています。

By Argonne National Laboratory

Silicene field-effect transistors operating at room temperature : Nature Nanotechnology : Nature Publishing Group
http://www.nature.com/nnano/journal/vaop/ncurrent/full/nnano.2014.325.html

One-Atom-Thin Silicon Transistors Hold Promise for Super-Fast Computing | News
http://www.utexas.edu/news/2015/02/03/silicon-silicene-transistors/

One-atom-thin silicene transistors may lead to dramatically faster computer chips
http://www.gizmag.com/silicene-thin-silicon-transistor/35919/

原子数個分の厚みしか持たない超極薄材料「二次元機能性材料」は、優れた物理特性を持つものが多く、炭素原子で構成されるグラフェンやリン原子で構成される黒リンナノシートなどが開発され、最先端のナノテクノロジーの1つとして注目されています。

シリコンの100倍の電子移動度を持つ「グラフェン」の新合成方法発表 – GIGAZINE
http://gigazine.net/news/20140408-samsung-electronics-graphene/

黒リンを極薄ナノシートに分離する技術が登場、次世代電子デバイス材料の期待が高まる – GIGAZINE
http://gigazine.net/news/20150113-black-phosphorous-nanosheet/

中でも2010年に発見されたシリコン原子が原子1個の厚みで結合した「Silicene」は、次世代半導体材料としてグラフェンに負けず劣らず期待されています。Siliceneはグラフェンと似た六角形のハニカム構造をとりながら結合するものの、結合する「腕」同士が屈曲した立体構造をとる点で平面構造のグラフェンとは異なっており、スピンホール効果、超伝導性、巨大な磁気抵抗などの優れた特性を持つと考えられています。しかし、Siliceneはグラフェンと異なり空気にさらされると不安定になることから、極めて扱いにくい素材としても知られており、予想される優れた特性を検証したり応用したりする実験がなかなか進展していませんでした。

 

2: Mogtan ★@ ©2ch.net 2015/02/07(土) 22:02:00.46 ID:???

 そんな中、テキサス大学コックレル校のデジ・エイキンワンド教授の研究チームが、Siliceneを用いたトランジスタの作成に成功したという研究成果を科学誌Nature Nanotechnologyに発表しました。エイキンワンド博士は、生成したSiliceneを、銀薄膜と数ナノメートルという極薄のアルミナ薄膜でサンドイッチ状に挟み込むことで保護した後、シリコンウエハーの上に銀保護膜面を上にして接合し、最後に銀薄膜をゆっくりとはがすことで、Silicene-アルミナ接合体、すなわちSiliceneトランジスタの作成に成功したとのこと。

エイキンワンド博士は「今回の成果によって、Siliceneが新たな二次元機能性材料として名乗りを上げました。それだけでなく、Siliceneが持つシリコンとの物理的親和性を考えれば、次世代の半導体材料としてグラフェンやその他の二次元機能性材料に比べても優位性があり、現在の半導体工業のロードマップを大きく塗り替える可能性を示したものと言えます」と述べており、Siliceneを使った超高速コンピュータの実現に向けての重要な第一歩を踏み出したとしています。

数年前まではSiliceneは理論上の素材に過ぎなかったことを思えばエイキンワンド博士によるSiliceneトランジスタの作成は画期的なものであり、また、銀薄膜で保護した後にこれを取り除くという手法自体が、他の薄膜材料作成プロセスへ応用できるものとして注目されています。

<参照>
One-Atom-Thin Silicon Transistors Hold Promise for Super-Fast Computing | News
http://www.utexas.edu/news/2015/02/03/silicon-silicene-transistors/

Silicene field-effect transistors operating at room temperature : Nature Nanotechnology : Nature Publishing Group
http://www.nature.com/nnano/journal/vaop/ncurrent/full/nnano.2014.325.html

http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1423314084/より引用

3: 名無しのひみつ@ 2015/02/07(土) 22:02:12.85 ID:/cNtp83R
マジか

 

7: 名無しのひみつ@ 2015/02/07(土) 22:17:15.21 ID:twZ166eB
イイネ…

 

8: 名無しのひみつ@ 2015/02/07(土) 22:18:57.15 ID:UPfxHzIb
脆そう

 

11: 名無しのひみつ@ 2015/02/07(土) 22:29:52.19 ID:nnJaVQII
まさかシリコンで三次元回路をつくれるのか

 

12: 名無しのひみつ@ 2015/02/07(土) 22:33:41.76 ID:nuH8fBQy
原子一個のコントロール
まさにナノテク時代の電子制御
新型回路の幕開けだぁ

 

13: 名無しのひみつ@ 2015/02/07(土) 22:35:49.77 ID:+ZizJHqN
Si-Si結合の不安定さを知っているとスゲーとわかる。熱安定性はいけるのか

 

16: 名無しのひみつ@ 2015/02/07(土) 23:13:49.13 ID:VePoYHcM
電圧かけたら隣の回路にも電子が移動しちゃって使い物にならないという現実に・・・

 

19: 名無しのひみつ@ 2015/02/08(日) 01:14:56.24 ID:z1OpViyh
原子1個分って宇宙を俯瞰する世界だろ

 

24: 名無しのひみつ@ 2015/02/08(日) 08:16:31.69 ID:FyTPgDTd
なんて読むんだよしりせん?


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